BY25Q40AVTIG(R)
4M-bit SPI Flash 存储器
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- 描述
- 4M位串行外设接口(SPI)闪存,适用于各种大量基于消费的应用,其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构,具有页面擦除粒度,也非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备。该设备的擦除块大小经过优化,以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小,可以更有效地利用内存空间
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25Q40AVTIG(R)
- 商品编号
- C50176323
- 商品封装
- SOP-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 85MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 0.6uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 8ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
BY25Q40AV是一款4M位串行外设接口(SPI)闪存,设计用于各种大批量消费类应用,在这些应用中,程序代码从闪存加载到嵌入式或外部RAM中执行。该器件具有灵活的页擦除架构,同样非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备。其擦除块大小经过优化,以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块大小,可以更高效地利用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须独占其擦除区域,因此与采用大扇区和大块擦除的闪存器件相比,可以大大减少浪费和未使用的存储空间。这种提高的存储空间效率允许在保持相同整体器件密度的同时,添加额外的代码例程和数据存储段。该器件采用2.3~3.6V的单路低压电源供电,支持JEDEC标准的制造商和器件ID、一个128位序列号和三个512字节的安全寄存器。
商品特性
- 4M位SPI NOR闪存
- 串行外设接口(SPI)
- 标准SPI:SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
- 双SPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
- 四SPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- 软件复位
- 读取
- 正常读取数据:55MHz时钟速率
- 其他读取数据:85MHz时钟速率
- 编程
- 串行输入页编程,最多256字节
- 双输入页编程,最多256字节
- 四输入页编程,最多256字节
- 编程挂起和恢复
- 擦除
- 页擦除(256字节)
- 块擦除(64/32 KB)
- 扇区擦除(4 KB)
- 芯片擦除
- 擦除挂起和恢复
- 编程/擦除速度
- 页编程时间:典型值2ms
- 页擦除时间:典型值8ms
- 扇区/块擦除时间:典型值8ms
- 芯片擦除时间:典型值8ms
- 灵活架构
- 4K字节扇区
- 32/64K字节块
- 低功耗
- 最大工作电流3mA
- 最大掉电电流0.6μA
- 软件/硬件写保护
- 3个512字节安全寄存器,带OTP锁定
- 通过WP引脚启用/禁用保护
- 通过软件保护写保护全部或部分存储器
- 顶部或底部、扇区或块选择
- 单电源电压
- 完整电压范围:2.3~3.6V
- 温度范围
- 商业级(0℃至+70℃)
- 工业级(-40℃至+85℃)
- 循环耐久性/数据保持力
- 任何扇区典型100k次编程-擦除循环
- 典型20年数据保持力
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