BY25D40ESTIG(T)
4Mbit SPI NOR Flash
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- 描述
- 是4M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源,范围从2.7V到3.6V。此外,支持JEDEC标准制造商和设备ID。
- 品牌名称
- BOYAMICRO(博雅)
- 商品型号
- BY25D40ESTIG(T)
- 商品编号
- C50172541
- 商品封装
- SOP-8-150mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
BY25D40ES 是一款 4M 位串行外设接口闪存,支持双 SPI 模式,包含串行时钟、片选、串行数据输入/输出引脚。双输出模式下的数据传输速率可达 108Mbps。该器件采用单路低压电源供电,电压范围为 2.7V~3.6V。此外,该器件支持符合 JEDEC 标准的制造商与器件识别码。
商品特性
- 串行外设接口
- 标准 SPI:SCLK、/CS、SI、SO、/WP
- 双 SPI:SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP
- 读取
- 普通读取(串行):55MHz 时钟速率
- 快速读取(串行):108MHz 时钟速率
- 双路读取:108MHz 时钟速率
- 编程
- 串行输入页编程,最大 256 字节
- 擦除
- 块擦除(64/32 KB)
- 扇区擦除(4 KB)
- 芯片擦除
- 编程/擦除速度
- 页编程时间:典型值 0.8ms
- 扇区擦除时间:典型值 100ms
- 块擦除时间:典型值 0.3/0.5s
- 芯片擦除时间:典型值 3s
- 灵活的架构
- 4K 字节扇区
- 32/64K 字节块
- 低功耗
- 最大工作电流 20mA
- 最大掉电电流 5uA
- 软件/硬件写保护
- 通过 WP 引脚启用/禁用保护
- 通过软件写保护全部或部分存储器
- 可选择顶部或底部、扇区或块
- 单电源电压
- 完整电压范围:2.7~3.6V
- 温度范围
- 商业级(0°C~+70°C)
- 工业级(-40°C~+85°C)
- 循环耐久性/数据保持力
- 任何扇区典型 10 万次编程-擦除循环
- 典型 20 年数据保持力
- 高级功能
- 每个器件具有 128 位识别码
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