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HD12N20L
N沟道 200V 9A
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- 描述
- N沟道，漏源电压：200V，连续漏极电流：9A，导通电阻：0.28Ω@10V，耗散功率：55W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- HD12N20L
- 商品编号
- C49823471
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 9.0A、200V，VGS = 10V 时 RDS(on) = 0.28Ω
- 低栅极电荷（典型值 16 nC）
- 低 Crss（典型值 17 pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作