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H40N25
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:250V,连续漏极电流:55A,导通电阻69mΩ@10V,27.5A,耗散功率:300W
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H40N25
- 商品编号
- C49823495
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 463pF |
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关