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H10N65F
N沟道 650V 10A
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- 描述
- 场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:650V,连续漏极电流:10A,导通电阻1.0Ω@10V,耗散功率:32W
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H10N65F
- 商品编号
- C49823498
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的雪崩耐用性
- 无铅
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 适配器和充电器
- 交流-直流开关电源
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