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BC2303
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- P沟道，漏源电压：30V，连续漏极电流：2.5A，导通电阻：78mΩ@10V，耗散功率：0.9W，MOSFET产品，ESD防护。)
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- BC2303
- 商品编号
- C49823502
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 372pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |