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HSCM0020065K
N沟道碳化硅功率MOSFET
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- 描述
- 场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:650V,连续漏极电流:92A,导通电阻30mΩ@18V,50A,耗散功率:312W
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- HSCM0020065K
- 商品编号
- C49823493
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 187nC@40A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高速开关，低电容
- 易于并联，驱动简单
- 更高的系统效率
- 降低散热要求
- 提高功率密度
- 提高系统开关频率
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 高压 DC/DC 转换器
- 电池充电器
- 电机驱动器