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H100N10FB
100V单通道N沟道MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：100V，连续漏极电流：100A，导通电阻：4mΩ@10V，耗散功率：125W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H100N10FB
- 商品编号
- C49823483
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@4.5V；3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的雪崩耐用性
- 无铅
应用领域
- 开关电源中的同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电动工具
- 不间断电源(UPS)
- 电机控制