温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
H5N50G
500V N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道，漏源电压：500V，连续漏极电流：5A，导通电阻：1.5Ω@10V，耗散功率：52W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H5N50G
- 商品编号
- C49823475
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 478pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的雪崩耐用性
- 无铅
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 适配器和充电器
- 交流-直流开关电源