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H3N80D
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：800V，连续漏极电流：3A，导通电阻：3.8Ω@10V，耗散功率：75W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H3N80D
- 商品编号
- C49823478
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 专有新型平面技术
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管