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H15N65D
N沟道超结功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：650V，连续漏极电流：15A，导通电阻：260mΩ@10V，耗散功率：131W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H15N65D
- 商品编号
- C49823480
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品特性
- 高压器件新工艺
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)