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H12N60E
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：600V，连续漏极电流：12A，导通电阻：370mΩ@10V，耗散功率：150W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H12N60E
- 商品编号
- C49823482
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品特性
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- LED电源
- 手机充电器
- 备用电源