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H4423P
30V 34A
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- 描述
- P沟道，漏源电压：30V，连续漏极电流：34A，导通电阻：7.4mΩ@10V，耗散功率：30W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H4423P
- 商品编号
- C49823477
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.58V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.406nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 306pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 369pF |
商品概述
沟槽功率MOSFET技术
- 低导通电阻（RDSON） 符合RoHS标准且无卤 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试 100%进行栅极电阻（Rg）测试
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低导通电阻（RDSON）
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电