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H80N10FB
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- N沟道，漏源电压：100V，连续漏极电流：80A，导通电阻：3.6mΩ@10V，耗散功率：132W，MOSFET产品，ESD防护。
- 品牌名称
- Huixin(慧芯)
- 商品型号
- H80N10FB
- 商品编号
- C49823472
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 126A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.211nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 848pF |
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 小封装
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 交直流快速充电器的同步整流
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）