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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定的RDS(on)
- 175 °C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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