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IRFU9310PBF

1个P沟道耐压:400V 电流:1.1A

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描述: 第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直插引脚版本（IRFU/SiHFU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 W。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFU9310PBF
商品编号: C506544
商品封装: TO-251
包装方式: 管装
商品毛重: 0.707克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU/SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

~~- P沟道-表面贴装(IRFR9310、SiHFR9310)-直引脚(IRFU9310、SiHFU9310)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	1.1A
	导通电阻(RDS(on))	7Ω@10V,1.1A
	耗散功率(Pd)	50W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	270pF
	反向传输电容(Crss)	8pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	50pF