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IRFZ44RPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 先进功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。对于所有功率耗散水平约达50 W的商业和工业应用，TO - 220AB封装是普遍首选
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFZ44RPBF
- 商品编号
- C506487
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,31A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 920pF |
商品概述
先进功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 先进工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dV/dt额定值
- 175 °C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 可直接替代用于线性/音频应用的IRFZ44、SiHFZ44
- 符合RoHS指令2002/95/EC