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HD504P190S
P沟道MOSFET
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD504P190S
- 商品编号
- C49256759
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.603nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 254pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -35 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 14 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 19 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低栅极电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源