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HB04P130S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V
- 漏极电流（ID） = -40 A
- 栅源电压（VGS）为 -10 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 13 mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 18 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 改善的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
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