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HV04P440S
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -40V。 ID = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 58mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HV04P440S
- 商品编号
- C49256781
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -6 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 40 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 58 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力,坚固性高
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
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