温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HV10N1H0SG
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS = 100V。I₀ = 3.4A。RDS(on)@VGS = 10V < 100mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 130mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HV10N1H0SG
- 商品编号
- C49256780
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 漏极电流(ID) = 3.4 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 100 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 130 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力,坚固性高
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
相似推荐
其他推荐