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HB03N080S
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 I0 = 50A。 RDS(on)@VGS = 10V < 7mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 11.5mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：DC-DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB03N080S
- 商品编号
- C49256761
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V；7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 50 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 7 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 11.5 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了 dv/dt 能力,具有高耐用性
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 电源管理