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HP803P180S
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。 I0 = -12A。 RDS(on)@VGS = -10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 21mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HP803P180S
- 商品编号
- C49256768
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@10V；12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 335pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V
- 漏极电流(ID) = -12 A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 13 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 21 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 改善的 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
-便携式设备负载开关-DC/DC 转换器-不间断电源