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HB02N080S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.615nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V
- 漏极电流(ID) = 50 A
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 8 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 13 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了电压变化率(dv/dt)能力,高耐用性
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 电源管理