温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HB03N070S
N沟道MOSFET，具有快速开关速度和高dv/dt能力，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB03N070S
- 商品编号
- C49256775
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 70 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 6.3 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 9.0 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了电压变化率(dv/dt)能力,坚固性高
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关-电源管理