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HP806P550S
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 50mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：DC/DC转换器。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HP806P550S
- 商品编号
- C49256766
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V；34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 169pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V
- 漏极电流(ID) = -8 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 40 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 50 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 改善的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- 直流-直流转换器
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源