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HB04P950S
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -40V。 I0 = -10A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 85mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 126mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：DC-DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB04P950S
- 商品编号
- C49256763
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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