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HD506N330S
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 60 V。ID = 20 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 29 mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD506N330S
- 商品编号
- C49256760
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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