FGH75T65SHD-F155-HXY

650V 90A

描述

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可满足中高功率应用场景的需求。器件的集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于提升导通效率并减少能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，具有良好的热稳定性和可靠性。该产品适用于智能电网、家用电器以及高效电源转换系统，为复杂电路提供精准的开关控制与能量传输支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FGH75T65SHD-F155-HXY

商品编号

C49003311

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.875862克(g)