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STGWA100H65DFB2-HXY
650V 150A
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- 描述
- 本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有助于减小导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用，参数设计兼顾性能与可靠性需求。
- 商品型号
- STGWA100H65DFB2-HXY
- 商品编号
- C49003309
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.834483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 输出电容(Coes) | 223pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.45V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@0.88mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 156nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.452nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 27ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.65mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 123ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF |
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