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FGH50T65SQD-F155-HXY
650V 80A
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- 描述
- 本IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域，满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- FGH50T65SQD-F155-HXY
- 商品编号
- C49003308
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.686667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 139pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.916nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF |
优惠活动
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