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STF5N52K3
1个N沟道 耐压:525V 电流:4.4A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF5N52K3
- 商品编号
- C500986
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 525V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这些器件采用 SuperMESH 3TM 功率 MOSFET 技术制造，该技术是在意法半导体（STMicroelectronics）的 SuperMESH 3TM 技术基础上进行改进，并结合全新优化的垂直结构而得。由此生产的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，特别适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用