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STB100NF04T4
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 这些功率MOSFET采用意法半导体独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器中的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB100NF04T4
- 商品编号
- C500663
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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