温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB47N50DM6AG
1个N沟道 耐压:500V 电流:38A
- 描述
- 汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB47N50DM6AG
- 商品编号
- C500945
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.908克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器最有效的开关性能之一。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，每单位面积的导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻较低
- 100%经过雪崩测试
- 具有极高的dv/dt抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用