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STD6N62K3
1个N沟道 耐压:620V 电流:5.5A
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- 描述
- 这款MDmesh K3功率MOSFET是对MDmesh技术进行改进，并结合全新优化垂直结构的成果。该器件具备极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD6N62K3
- 商品编号
- C500962
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 MDmesh™ K3 功率 MOSFET 是意法半导体（STMicroelectronics）对 MDmesh™ 技术进行改进，并结合全新优化垂直结构的成果。该器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用