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STF33N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
- 描述
- N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF33N60DM6
- 商品编号
- C500984
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并且单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，同时具备市场上针对高要求的高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关性能之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积的导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用