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STD9NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
- 描述
- N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD9NM50N
- 商品编号
- C500965
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
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