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STD9NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
- 描述
- N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD9NM50N
- 商品编号
- C500965
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh技术开发，该技术将多漏极工艺与PowerMESHTM水平布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用意法半导体（ST）专有的条形技术，这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域