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STD16N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- N沟道650 V、0.230 Ohm典型值、12 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD16N65M5
- 商品编号
- C500952
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低本征栅极电阻
- 带氮化铝隔离的微型BLOC
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（QG）
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-交流电机控制-高速功率开关应用-源漏二极管