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STD5NM60T4
1个N沟道 电流:5A
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- 描述
- MDmesh是一种新的革命性功率MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专有的条形技术，其整体动态性能明显优于类似的竞争产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5NM60T4
- 商品编号
- C500961
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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