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STD4NK100Z
1个N沟道 耐压:1000V 电流:2.2A
- 描述
- 汽车级N沟道1000 V、5.6 Ohm典型值、2.2 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD4NK100Z
- 商品编号
- C500959
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 601pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的超级网格（SuperMESH）技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，通过优化意法半导体成熟的基于条形的功率网格（PowerMESH）布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用