温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF11NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF11NM60ND
- 商品编号
- C500969
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的漏源导通电阻（RDS(on)）×面积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用