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STD10LN80K5

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:800V 电流:8A

  • SMT扩展库
  • 描述

    N沟道800 V、0.55 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STD10LN80K5
  • 商品编号

    C500946
  • 商品封装

    DPAK
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.407克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)630mΩ@4A,10V
功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)427pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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