商品参数
参数完善中
商品概述
这些器件是采用第二代MDmeshTM技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
参数完善中
这些器件是采用第二代MDmeshTM技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。