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STB22NM60N
参数完善中
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。
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