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STB30N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:22A
- 描述
- N沟道650 V、0.125 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB30N65M5
- 商品编号
- C500941
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 139mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.88nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh™ V功率MOSFET，该技术与意法半导体著名的PowerMESHTM水平布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制
- 全球最佳的RDS(on)*面积
- 更高的VDSS额定值
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 100%雪崩测试
- 高dv/dt能力
应用领域
- 开关应用