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STB45N30M5实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STB45N30M5

1个N沟道 耐压:300V 电流:53A

品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STB45N30M5
商品编号
C500943
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.61克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)53A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V,26.5A
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)95nC@240V
输入电容(Ciss)4.24nF@100V
反向传输电容(Crss)9.5pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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