温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB31N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:22A
- 描述
- N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB31N65M5
- 商品编号
- C500942
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.865nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@100V |
商品概述
这些器件是基于MDmesh M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 极低的RDS(on)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用