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HT36N900ADZ
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 常温下耐压高达900V负载电流可达36A的碳化硅MOSFET
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT36N900ADZ
- 商品编号
- C47325507
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 66pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ |
商品特性
- C3M碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容下的高速开关性能
- 快速本征二极管，反向恢复电荷Qrr低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源