温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HT165N1200AKZ
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 常温下耐压高达1200V负载电流可达165A的碳化硅MOSFET
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT165N1200AKZ
- 商品编号
- C47326418
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.453333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 293nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.407nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 202pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ |
商品特性
- E4M代碳化硅MOSFET技术
- 采用独立驱动源引脚的优化封装
- 漏极与源极间具有8mm爬电距离
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容实现高速开关
- 具有低反向恢复电荷Qrr的快速本征二极管
- 无卤素，符合RoHS标准
- 符合汽车级认证（AEC-Q101）并具备PPAP能力
应用领域
- 电机控制
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器