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HT52N650AKZ
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 常温下耐压高达650V负载电流可达52A的碳化硅MOSFET
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT52N650AKZ
- 商品编号
- C47325508
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.543333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.621nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 101pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |
商品特性
- 采用C3M碳化硅MOSFET技术
- 优化的封装设计，配备独立的驱动源引脚
- 漏极与源极之间具有8毫米爬电距离
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容实现高速开关
- 快速本征二极管，反向恢复电荷低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电器
- 服务器与电信电源
- 不间断电源
- 太阳能逆变器
- 开关电源
- 直流/直流转换器