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HT120N650ADZ
碳化硅功率MOSFET，N沟道增强模式
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- 描述
- 常温下耐压高达650V负载电流可达120A的碳化硅MOSFET
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT120N650ADZ
- 商品编号
- C47326411
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.073333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容实现高速开关
- 快速本征二极管，反向恢复电荷低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源
- 开关模式电源
- DC/DC转换器